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三星正将其Z-NAND存储技术“起死回生”，并瞄准极高的性能目标。
据《电子时报》报道，三星下一代Z-NAND的性能目标最高可提升至15倍，同时研发出一项新技术，使GPU能够直接访问由Z-NAND驱动的存储设备(类似微软的DirectStorage API)。
据悉，三星存储事业部执行副总裁表示，公司计划让Z-NAND在性能上实现最高15倍的飞跃，同时将功耗相比传统NAND闪存降低多达80%。
这款新一代Z-NAND被特别优化用于AI应用，尤其是AI GPU，并着重减少相较于前代产品的延迟。为此，三星引入了一项名为“GPU发起的直接存储访问”的新技术，并将其集成进下一代Z-NAND闪存中。借助GIDS，GPU能够绕过CPU和DRAM，直接访问Z-NAND存储设备，从而显著降低访问时间和系统延迟。
Z-NAND最早于2010年代中后期问世，是三星对英特尔3D XPoint Optane存储的替代方案。这两种存储技术都创造了一个介于传统SSD与DRAM之间的新存储层级，表现得像SSD，但延迟更低、性能更好，接近DRAM水准。
与完全不同于传统NAND闪存架构的英特尔3D XPoint不同，三星第一代Z-NAND本质上是“加速版”的SLC NAND SSD，基于经过改进的V-NAND设计。其关键升级之一是大幅缩小了页大小，可低至2-4KB，这让SSD能够以更小数据块进行读写，加快速度并降低系统延迟；而普通SSD的页大小通常在8-16KB之间。
在当时，采用英特尔Optane或三星Z-NAND的硬盘，速度大约是同期传统SSD的6到10倍。如果三星的新一代Z-NAND能实现目标，其性能将比当今NVMe SSD快15倍。虽然传统SSD也在不断加速，成本仍是Z-NAND未来版本的一大挑战，但在AI硬件需求持续高涨的背景下，三星显然不愁找不到客户。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第4120期内容，欢迎关注。
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